台积电官方表明，现在其规划的3nm工艺宗族有如下版别，分别是根底的N3、本钱优化的N3E、功能进步的N3P、为高功能核算设备运用的N3X、为车载设备预备的更为高压耐受的N3 AE。
依据了解，台积电旗下的N3E工艺比较较现阶段的台积电5nm工艺，可在相同频率下下降 32% 的功耗，或许在相同功耗下进步 18% 的功能。而N3P则可在相同频率下比较较于N3E下降5-10%的功耗，在同功耗的情况下进步5%的功能。
N3X则是优考虑HPC运用的功能和最大时钟频率。 因而其与N3P比较，N3X在驱动电压为1.2V的情况下其速度进步了5% ,芯片密度与N3P相同。
N3AE则是面向轿车范畴的工艺，其具有有更强的牢靠性，台积电表明将供给到相关的3nm开发SDK东西协助开发厂商规划有关产品，并争夺在2025年带来可在轿车上牢靠运用的N3A工艺。
台积电给出的时间表指出，其将在2023年推出根底N3工艺以及N3E工艺的产品，2024年推出2024年推出N3P工艺相关这类的产品，N3X和N3AE（N3A）将会在2025年进行推出。
台积电官方也在次技能研讨会上进一步向未接披露了2nm工艺方案，其将在2nm工艺节点引进新式的 GAAFET 结构，即门全围住场效应晶体管（Gate-All-Around FET）结构。台积电官方表明，这种结构能愈加进一步进步晶体管密度和功能，而且下降功耗和走漏。
台积电介绍称，相较于 N3E 制程技能，N2技能可在相同功耗下，功能最快添加 15%；在相同频率下，功耗可下降 30%，一起晶片密度添加逾 15%。而这一N2工艺将会在2025年进入量产。
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